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東莞記憶研發總部-2號研發樓/3號地下室專案之園林景觀工程

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Project description
項目介紹
記憶科技集團成立於1997年,擁有伺服器、記憶體模組、固態硬碟(包含企業級、數據中心級、消費級固態硬碟)、嵌入式存儲、以及工控安全存儲晶片等記憶體模組產品,廣泛應用於雲計算、企業級數據中心、智能終端、個人電腦、工業電腦、以及資訊安全領域。記憶科技集團在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設有六大研發中心,在東莞、惠州、鄭州設有三座現代化製造基地,能夠為全球客戶提供從晶圓測試與分級、晶片封裝與測試,擁有數十條世界一流的全自動化高速SMT生產線。
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術產業開發區,目前主要從事動態隨機儲存(DRAM)和閃存(FLASH)晶片封裝測試及工控產品與伺服器製造。
創興建設承接了本項目主要包括記憶研發總部-2 號研發樓、3 號地下室專案園林景觀獨立承包工程,本項目位於松山湖金多港西一路東側,規劃用地面積為20000 ㎡,總建築面積為27265.57 ㎡,其中 1 號研發樓建築面積為9449.86 ㎡及地下室498.31 ㎡,2 號研發樓建築面積7150.31 ㎡及地下室建築面積10665.41㎡。
Project profile
工程概况

項目地址: 東莞市松山湖金多港西一路東側

承建範圍: 下沉區、一層、屋面層景觀園建工程、軟景工程、電氣工程、給排水工程等。分為1 號研發樓周邊景觀、2 號樓周邊景觀和屋頂景觀、室外廣場的水景、下沉廣場的水景以及所有景觀的給排水、機電照明等管網、線路敷設和控制,特色座椅、條石坐凳區域、車道出入口景觀牆、廣場的地面石材鋪貼及給排水系統、綠植及樹種、臺階、人防安全通道炮樓拆除及修補、出入口的石材景觀及給排水系統等區域等專案的供應、製作、安裝所需的一切工作內容。該標主入口景觀,包括地面、泛光燈、混凝土擋土牆、凹槽以及排水系統等輔料。廣場水景牆及水池,包括景觀水池表面的石材、支架、水牆底部溝槽地燈、水池及水池溝槽地燈、石凳以及水池水牆的給排水系統。廣場的地面,包括石材架空鋪裝及支座、給排水系統、地面防水、樹坑的給排水系統及回填、灌木採購、廣場的照明系統、人防樓梯間的拆除及封堵。

承建面積: 17815.72㎡

完成時間: 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工期時長: 120天

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